Магниторезистивный чувствительный элемент (МРЧЭ)

Магниторезистивный чувствительный элемент (МРЧЭ)

МРЧЭ является первичным измерительным преобразователем, действие которого основано на зависимости электросопротивления тонкоплёночной структуры от величины и ориентации внешнего магнитного поля. Он имеет нечётную и линейную (в определенном интервале полей) функцию преобразования. Отличительная особенность МЧРЭ состоит в повышенной термостабильности чувствительности, реализованной не аппаратурным методом.

Назначение

МРЧЭ предназначен ля применения в системах автоматизации; в промышленности, автомобилестроении, энергетике, на транспорте и других областях техники в качестве функционально законченного чувствительного элемента для датчиков обратной связи, реагирующих на величину постоянного или переменного магнитного поля, а также на его возмущения.

МЧЭ выпускается в двух модификациях:

  • 5х6х2.6 мм.
  • 2х10х2.6 мм.

На основе таких разработок cозданы и успешно внедрены в эксплуатацию следующие устройства:

  1. датчик обратной связи для автоматизированного дозатора хлора «Галоген- Д»;
  2. устройство обнаружения коротких замыканий при электрохимическом осаждении меди;
  3. датчик магнитных меток для геологоразведки.
Магниторезистивный чувствительный элемент (МРЧЭ) 0Магниторезистивный чувствительный элемент (МРЧЭ) 1Магниторезистивный чувствительный элемент (МРЧЭ) 2

Технические характеристики

Наименование параметраЗначение
Чувствительность к продольному магнитному полю (η) 0.7 1.0 мВ/(мАхЭ)
При питающем токе 5 мА и поле 1Э выходной сигнал 5 мВ или 0.5 0.7 мВ/(ВхЭ)
Чувствительность к поперечному магнитному полю <10-² мВ/(мАхЭ)
Начальный разбаланс преобразователя, мВ 10 25
Номинальный ток питания (постоянный, переменный), мА 5
Номинальное напряжение питания, В 7,5
Максимальное напряжение питания, В 30
Номинальное электросопротивление, кОм 1,5

Интервал измеряемых магнитных полей

(при коэффициенте нелинейности < 1 %), Э

± 5

Температурный коэффициент чувствительности

(η 0.7мВ/(мАхЭ) в интервале от 50 до+100 °С), %/ град
< 0.02
Площадь чувствительной зоны кристалла, мм2~ 0.6
Размеры кристалла преобразователя (без магнита смещения), мм 2х1.6х0.4

Патент

РФ RU 2084912 C1