Применение в системах учета электроэнергии, в системах автоматизированного управления технологическими процессами, в линиях передачи сигналов.
Датчики типоряда номинальных токов 20, 50, 120, 150, 300 А выполнены по микроэлектронной технологии на основе чувствительных слоев, обладающих анизотропным магнитосопротивлением и дополнены специальным магнитожестким «смещающим» слоем.
Использование «смещающего» слоя позволяет отказаться от использования в датчиках микромагнитов или специальной технологии «Барбер», с присущими им недостатками.
Датчики типоряда номинальных токов 10, 20, 100 мА выполнены по микроэлектронной технологии на основе чувствительных слоев, обладающих спинвентильным (гигантским) магнитосопротивлением.
В датчиках ДТ использованы оригинальные топологические решения, чувствительность моста в рабочей области в 10 раз превышает чувствительность сенсора на анизотропном сопротивлении.
| Наименование параметра | Значение |
|---|---|
| Основная погрешность, не более % | 0,5 |
| Дополнительная температурная погрешность, не более | 0,25%/10°С |
| Номинальное напряжение питания, В | 5 |
| Рабочий диапазон температур окружающего воздуха,°С | от -40 до + 85 °С |
| Прочность изоляции между измеряемыми и измерительными цепями, не менее, В | 2500 |
| Выходной сигнал | аналоговый или цифровой |